机译:通过卢瑟福背散射/沟道在GaAs上生长的厚GaMnAs层中四方畸变的深度分布
机译:用卢瑟福背散射/通道表征具有AlN中间层的厚Al0.2Ga0.8N外延层中的四方畸变
机译:通过卢瑟福反向散射/沟道研究在Si(111)上具有AlN中间层的GaN外延层的深度依赖四方畸变
机译:离子植入的比较研究引起了光谱椭圆形测定法和Rutherford反向散射光谱法研究的多晶和单晶硅中的损伤深度曲线
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:通过卢瑟福背散射/沟道在GaAs上生长的厚GaMnAs层中四方畸变的深度分布